Samsung ha anunciado la producción en masa de los primeras SSD PM853T con NAND de 3 bit capaces de ofrecer el mejor rendimiento del mercado. Los nuevos SSD permitirán a los centros de datos gestionar mejor las cargas de trabajo relacionado con las redes sociales, buscador web y email, así como mejorar la eficiencia en las operaciones. Las instalaciones de los SSD NAND de 3-bit, se llevará a cabo inicialmente en centro de datos de gran tamaño, y se esperan que comiencen a finales de este cuatrimestre.
Los nuevos PM853T SSD, están disponibles en diferentes capacidades de 240 GB, 480GB y 960 GB, ofreciendo altos niveles de rendimiento IOPS (inputs/outputs per second) y calidad de servicio (QoS), ambos, esenciales para los centros de datos y aplicaciones de servicio en la nube. Gracias a estos beneficios, Samsung espera que la adopción de los SSD de 3 bit en los centros de datos avance de manera rápida en sustitución de los SSD de 2 bit.
El SSD PM853T ofrece un 30 por ciento más de eficiencia comparado con los SSD que usan componentes flash NAND de 2 bit. Los componentes flash de 10 nanómetros de Samsung* NAND Flash MLC (Multi-level cell) de 3-bit y la tecnología de controlador avanzada, ofrecen velocidades de lectura secuencial de 520 megabytes por segundo (MB/s), y de escritura secuencial es 420 MB/s. Además, la lectura random es de 90.000 IOPS y 14.000 IOPS de escritura.
Desde que salió al mercado el SSD 840 EVO en 2012, Samsung ha liderado la oferta de SSD para notebooks ultrafinos y PCs. Con PM853T, ahora se asegura un punto fuerte en los SSD de alta eficiencia para centros de datos de gran tamaño.
Con la presentación de los SSD 3 SATA 6Gb/s 3-bit, Samsung refuerza su colaboración con los centros de datos mundiales y servidores para clientes, al mismo tiempo que aumenta su amplia gama de SSD (que incluye los interfaces SATA, SAS, y PCIe/NVME) para mejorar su liderazgo en el mercado de los SSD Premium.
